第一三八四章 光刻机的现状(上)(1/2)

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EUV LLc联盟的研发费用出资比例中,牵头的美国能源部出30%,Intel和GcA各出20%,motorola、Ibm、It、Adm和hp各出4%,micron和cymer等其他33家科技企业和研究机构共出10%,今后享受的权利同出资比例相同。

GcA需要出资的20%中,以前的EUV研究成果折算15%。

GcA这些年为了研发EUV投资了1.5亿美元,取得了不少有关EUV的研究成果,但离成功还有很远的距离,以GcA一家之力很难完成,汤普森院长不得不放弃,出面邀请美国能源部和Intel等光刻机和半导体产业的同行,美国能源部牵头成立了EUV LLc。

美国能源部的三家国家实验室、Intel和cymer等公司这些年也在研发EUV,但远远落后在GcA的后面,汤普森院士众望所归,成了EUV LLc联盟的cto。

作为GcA的法人兼董事长,孙健乐见其成。

光刻机公司迟迟不能攻克193nm波长的世界级难题,65nm制程工艺光刻机迟迟见不到身影,GcA和Nikon着急,但最着急的是财大气粗的Intel和Amd,没有下一代光刻机,Intel和Amd研发的下一代cpU只能成为研发成果,不能变成产品,不能上市,消费者将失去购买欲望,公司的销售和利润锐减,投资者用脚投票,股价下跌,市值减少,研发费用减少,研发受阻,会发生一系列连锁反应。

前世,由于迟迟不能攻克193nm波长的世界级难题,光刻机制程工艺一直停留在90nm,摩尔定律失效!直到2007年左右,ASmL生产的世界第一台193nm波长的浸没式光刻机问世,一举突破了90nm制程工艺,65nm、45nm、32nm、28nm、20nm、14nm、10nm……制程工艺越来越细,制造难度越来越大。

重生前,EUV光刻机已经诞生,台积电已经宣布能生产7nm制程工艺的芯片,全球光刻机公司就剩下ASmL、Nikon、canon和沪海微电子(SmEE)等四家。

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“各位董事都知道,业界对下一代光刻机的发展提出了两条技术路线,据我所知,157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战,不是短时间能克服的;即使EUV LLc联盟在5年内研发成功EUV,但EUV光刻机量产还有很长的路要走,业界悲观预测,5年内看不到65nm制程工艺光刻机问世,芯片的升级换代将会陷入停滞,受到美国经济下滑和65nm制程工艺技术研发受阻的双重影响,半导体产业的快速发展也不可能继续延续。”

孙健一脸严肃,不是信口雌黄,也不是指点江山,准确预测光刻机产业和半导体产业未来的发展趋势,避免GcA陷入被动,继续树立GcA一把手的权威形象。

打算关门的GcA能成为全球第一大光刻机公司,孙董事长的贡献第一,这是现场众董事的心声。

光刻机产业和半导体产业一荣俱荣,一损俱损。

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